Новый лазер на свободных электронах

🔻При поддержке государства в Институте ядерной физики имени Будкера Сибирского отделения Российской академии наук (ИЯФ СО РАН, Новосибирск) создан проект лазера на свободных электронах для рентгеновской литографии в микроэлектронике. Новый лазер имеет длину волны около 10 нм🔺

🔹По словам разработчиков, излучение с длинами волн 10 нм применяется в современной микроэлектронике для изготовления электронных микросхем с высокой плотностью элементов методом рентгеновской литографии. Внедрение новой технологии позволит увеличить производительность оборудования для создания микросхем.
🔹Проект отличается применением инновационных элементов, таких как магнитная система электронного накопителя с отрицательным коэффициентом расширения орбит, поворотные магниты с большой вертикальной апертурой на основе постоянных магнитов, низкочастотные ускоряющие резонаторы и другие новшества, внесенные российскими учеными.

🔥 #СМУСОПК реализует информационно-новостной проект при поддержке #РосмолодёжьГранты.